IGBT-Field Stop II onsemi, VCE 650 V, IC 70 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 163-0258
- Codice costruttore:
- NGTB35N65FL2WG
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 30 unità*
108,84 €
(IVA esclusa)
132,78 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 06 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 3,628 € | 108,84 € |
| 120 - 240 | 2,892 € | 86,76 € |
| 270 - 480 | 2,74 € | 82,20 € |
| 510 - 990 | 2,591 € | 77,73 € |
| 1020 + | 2,376 € | 71,28 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 163-0258
- Codice costruttore:
- NGTB35N65FL2WG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | IGBT-Field Stop II | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 70A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.7V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | Field Stop | |
| Lunghezza | 20.8mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 5.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto IGBT-Field Stop II | ||
Corrente massima continua collettore Ic 70A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.7V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie Field Stop | ||
Lunghezza 20.8mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 5.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
IGBT discreto, ON Semiconductor
Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.
IGBT discreto, ON Semiconductor
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Link consigliati
- IGBT-Field Stop II onsemi NGTB35N65FL2WG IC 70 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT-Field Stop II onsemi IC 80 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT-Field Stop II onsemi NGTB40N65FL2WG IC 80 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT-Ultra Field Stop onsemi IC 25 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT-Ultra Field Stop onsemi NGTB25N120FL3WG IC 25 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT Bourns IC 100 A, TO-247
- IGBT Infineon IC 161 A, TO-247
- IGBT Bourns BIDW50N65T IC 100 A, TO-247