IGBT STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-247

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-030
Codice costruttore:
GWA40MS120DF4AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

80 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±30V

Dissipazione di potenza massima

536 W

Numero di transistor

1

Configurazione

Single

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Paese di origine:
CN
L'IGBT di STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando un'avanzata struttura proprietaria trench gate fieldtop. Il dispositivo fa parte degli IGBT della serie MS, che rappresentano un'evoluzione della serie M a basse perdite, specificamente progettata per i sistemi di inverter grazie all'eccezionale capacità di cortocircuito ad alti valori di tensione di bus. Inoltre, il coefficiente di temperatura VCE(sat) leggermente positivo e la distribuzione dei parametri molto stretta rendono più sicuro il funzionamento in parallelo.

Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione stretta dei parametri
Parallelo più sicuro

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