IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-247

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Codice RS:
168-7100
Codice costruttore:
STGW80H65DFB
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

120 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

469 W

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

ESBT discreti, ST Microelectronics



IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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