IGBT STMicroelectronics STGWA50M65DF2AG, VCE 650 V, IC 119 A Singolo, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 215-009
- Codice costruttore:
- STGWA50M65DF2AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 215-009
- Codice costruttore:
- STGWA50M65DF2AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 119A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 576W | |
| Numero transistor | 1 | |
| Configurazione | Singolo | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 15.9mm | |
| Lunghezza | 20.1mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continua collettore Ic 119A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 576W | ||
Numero transistor 1 | ||
Configurazione Singolo | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 15.9mm | ||
Lunghezza 20.1mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
L'IGBT STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando una struttura Advanced Fieldtop proprietaria del gate a trincea. Il dispositivo fa parte degli IGBT della serie M, che rappresentano un equilibrio ottimale tra le prestazioni e l'efficienza del sistema inverter in cui la bassa perdita e la funzionalità di cortocircuito sono essenziali. Inoltre, il coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo e la distribuzione dei parametri stretta si traducono in un funzionamento in parallelo più sicuro.
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione stretta dei parametri
Parallelizzazione più sicura
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