IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 119 A, canale N, TO-247

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-009
Codice costruttore:
STGWA50M65DF2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

119 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

576 W

Configurazione

Single

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Paese di origine:
CN
L'IGBT di STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando un'avanzata struttura proprietaria trench gate fieldtop. Il dispositivo fa parte degli IGBT della serie M, che rappresentano un equilibrio ottimale tra le prestazioni e l'efficienza del sistema inverter in cui la bassa perdita e la funzionalità di cortocircuito sono essenziali. Inoltre, il coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo e la stretta distribuzione dei parametri rendono più sicuro il funzionamento in parallelo.

Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione stretta dei parametri
Parallelo più sicuro

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