IGBT STMicroelectronics STGWA50M65DF2AG, VCE 650 V, IC 119 A Singolo, canale N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 215-009
- Codice costruttore:
- STGWA50M65DF2AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Ottieni uno sconto acquistando quantità maggiori
Aggiungi 10 in più per risparmiare 18,30 €
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
5,99 €
(IVA esclusa)
7,31 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 12 unità in spedizione dal 09 novembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Risparmio |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 5,99 € | - |
| 10 - 99 | 4,16 € | 18,30 € |
| 100 - 599 | 3,10 € | 289,00 € |
| 600 + | 3,07 € | 1752,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-009
- Codice costruttore:
- STGWA50M65DF2AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 119A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 576W | |
| Numero transistor | 1 | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Configurazione | Singolo | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 20.1mm | |
| Larghezza | 15.9mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continua collettore Ic 119A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 576W | ||
Numero transistor 1 | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Configurazione Singolo | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 20.1mm | ||
Larghezza 15.9mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
L'IGBT STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando una struttura Advanced Fieldtop proprietaria del gate a trincea. Il dispositivo fa parte degli IGBT della serie M, che rappresentano un equilibrio ottimale tra le prestazioni e l'efficienza del sistema inverter in cui la bassa perdita e la funzionalità di cortocircuito sono essenziali. Inoltre, il coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo e la distribuzione dei parametri stretta si traducono in un funzionamento in parallelo più sicuro.
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione stretta dei parametri
Parallelizzazione più sicura
Link consigliati
- IGBT STMicroelectronics STGWA50M65DF2AG IC 119 A Singolo TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics IC 80 A 3 Pin
- IGBT STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG IC 80 A 3 Pin
- IGBT STMicroelectronics STGWA20HP65FB2 IC 40 A TO-247, 3 Pin
- IGBT STMicroelectronics STGWA40H65DFB2 IC 40 A TO-247, 3 Pin
- IGBT Infineon IC 161 A, TO-247
- IGBT Bourns IC 100 A, TO-247
- IGBT STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG IC 87 A 3 Pin Foro passante