IGBT STMicroelectronics STGWA50M65DF2AG, VCE 650 V, IC 119 A Singolo, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
215-008
Codice costruttore:
STGWA50M65DF2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

119A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

576W

Numero transistor

1

Tipo di package

TO-247

Configurazione

Singolo

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

20.1mm

Larghezza

15.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
L'IGBT STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando una struttura Advanced Fieldtop proprietaria del gate a trincea. Il dispositivo fa parte degli IGBT della serie M, che rappresentano un equilibrio ottimale tra le prestazioni e l'efficienza del sistema inverter in cui la bassa perdita e la funzionalità di cortocircuito sono essenziali. Inoltre, il coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo e la distribuzione dei parametri stretta si traducono in un funzionamento in parallelo più sicuro.

Corrente di coda ridotta al minimo

Distribuzione stretta dei parametri

Parallelizzazione più sicura

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