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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	IGBT
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo	650V
	Dissipazione di potenza massima Pd	375W
	Tipo di package	TO-247-4LD
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Tensione emettitore gate massima VGEO	20 V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Serie	FGHL75T65MQDTL4
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	4.82mm
	Lunghezza	15.87mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo prodotto IGBT
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V
	Dissipazione di potenza massima Pd 375W
	Tipo di package TO-247-4LD
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Serie FGHL75T65MQDTL4
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 4.82mm
	Lunghezza 15.87mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - FGHL75T65MQDTL4

IGBT Semiconduttore ON FS4 a velocità di commutazione media da 650 V, 75 A. Ciò offre prestazioni ottimali bilanciando le perdite Vce (sat) ed Eoff e il sovraccarico Vce con controllo effciciente. Ideale per inverter solare, UPS, stazioni di ricarica EV, ESS e altre applicazioni di conversione di potenza ad alte prestazioni.

Coefficiente di temperatura positivo

Facile funzionamento in parallelo

Perdite di commutazione Basse perdite di conduzione

Basse perdite

IGBT onsemi, VCE 650 V, TO-247-4LD, 4 Pin Superficie

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