IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, TO-247-3L
- Codice RS:
- 241-0740
- Codice costruttore:
- FGHL75T65MQDT
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 241-0740
- Codice costruttore:
- FGHL75T65MQDT
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 80 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 375 W | |
| Numero di transistor | 30 | |
| Tipo di package | TO-247-3L | |
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|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 80 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter 20V | ||
Dissipazione di potenza massima 375 W | ||
Numero di transistor 30 | ||
Tipo di package TO-247-3L | ||
IGBT Semiconduttore ON FS4 a velocità di commutazione media da 650 V, 75 A. Ciò offre prestazioni ottimali bilanciando le perdite Vce (sat) ed Eoff e il sovraccarico Vce con controllo effciciente. Ideale per inverter solare, UPS, stazioni di ricarica EV, ESS e altre applicazioni di conversione di potenza ad alte prestazioni.
Coefficiente di temperatura positivo
Facile funzionamento in parallelo
Perdite di commutazione Basse perdite di conduzione
Basse perdite
Facile funzionamento in parallelo
Perdite di commutazione Basse perdite di conduzione
Basse perdite