IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 80 A, TO-247
- Codice RS:
- 241-0724
- Codice costruttore:
- FGH4L40T120LQD
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 241-0724
- Codice costruttore:
- FGH4L40T120LQD
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 80 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | 20V | |
| Numero di transistor | 30 | |
| Dissipazione di potenza massima | 153 W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
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|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 80 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter 20V | ||
Numero di transistor 30 | ||
Dissipazione di potenza massima 153 W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
IGBT semiconduttore ON da 1200 V, 40 A con arresto di campo ultra. Questo IGBT utilizza un diodo confezionato con commutazione rapida che lo rende ideale per l'uso in applicazioni di commutazione dura in cui EON, IRRM e trr sono fattori importanti che determinano le perdite. Gli IGBT Ultra Field Stop offrono eccellenti perdite di commutazione per dispositivi a bassa perdita di conduzione.
Basso VCE (SAT) 1,55 V a 40 A
EON 1,04 mJ a 600 V/40
AEOFF 1,35 mJ a 600 V/40
AIRRM 41,3 A a 175 C 1 A/ns 40 A
EON 1,04 mJ a 600 V/40
AEOFF 1,35 mJ a 600 V/40
AIRRM 41,3 A a 175 C 1 A/ns 40 A