TSB582IYDT Amplificatore operazionale STMicroelectronics, Superficie 3.1 MHz, SO-8 36 V, 8 Pin

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RS Stock No.:
261-4766
Mfr. Part No.:
TSB582IYDT
Brand:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

Amplificatore operazionale

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

SO-8

Numero di canali

6

Numero pin

8

GBP - Prodotto con guadagno in larghezza di banda

3.1MHz

Tensione massima di alimentazione

36V

Tensione minima di alimentazione

36V

Vos - Tensione di offset in ingresso

2.4 mV

Slew rate

2V/μs

Minima temperatura operativa

-40°C

Corrente di bias in ingresso

5 nA

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Serie

TSB582

Standard/Approvazioni

No

Corrente di uscita

200mA

Standard automobilistico

AEC-Q2, AEC-Q100, AEC-Q3, AEC-Q1

Corrente di uscita 200 mA con spegnimento termico e limitatore di corrente di uscita, 3,1 MHz, 36 V, amplificatore operativo doppio BiCMOS


Il TSB582 è un amplificatore operazionale doppio stabile a guadagno unitario con capacità di alta tensione e alta corrente, dotato di protezioni interne contro le condizioni di sovratemperatura e sovraccarico di corrente. Inoltre, il TSB582 presenta una maggiore immunità ai disturbi ESD e RF.

In genere fornisce fino a 200 mA per canale per azionare carichi induttivi a bassa resistenza, come resolver angolari, cavi lineout e attuatori piezoelettrici.

I due amplificatori di uscita ad alta corrente del TSB582 presentano il vantaggio di azionare i carichi direttamente in modalità a ponte o, collegati in parallelo, consentono di raddoppiare la corrente di dissipazione/sorgente di uscita. Inoltre, il TSB582 è disponibile in due contenitori salvaspazio, SO8 con tampone esposto e DFN8 con fianchi bagnabili e tampone esposto. Entrambi sono qualificati per le applicazioni automobilistiche in una gamma di temperatura compresa tra -40 °C e +125 °C.

Caratteristiche principali


  • Ampia tensione di alimentazione: 4 V - 36 V

  • Corrente di uscita elevata: 200 mA

  • Uscita rail-to-rail, ingresso rail basso

  • Prodotto della larghezza di banda di guadagno: 3,1 MHz

  • Elevata velocità di scorrimento: 2 V/μs

  • Spegnimento termico interno e limitatore di corrente di uscita

  • Maggiore immunità ai disturbi RF

  • Elevata tolleranza agli ESD: 4 kV HBM

  • Gamma di temperatura estesa: da -40 °C a 125 °C

  • Grado automobilistico

  • Bassa rumorosità 45 nV/√Hz a 1 kHz

  • Icc (tip.) = 2,3 mA

  • Guadagno unitario stabile

  • Basso offset 2,4 mV max. (25 °C) / 3 mV max. (intera gamma di temperatura)

  • Bassa corrente di polarizzazione in ingresso

  • Contenitori: soffietto esposto SO8 e DFN8

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