Modulo IGBT Fuji Electric, VCE 600 V, IC 100 A, canale N, M232

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Codice RS:
462-843
Codice costruttore:
2MBI100TA-060-50
Costruttore:
Fuji Electric
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Marchio

Fuji Electric

Corrente massima continuativa collettore

100 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

310 W

Configurazione

Serie

Tipo di package

M232

Tipo di montaggio

Montaggio a pannello

Tipo di canale

N

Numero pin

7

Configurazione transistor

Serie

Dimensioni

92 x 34 x 30mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Moduli IGBT, Fuji Electric - confezione da 2


Serie V, 6a generazione, FieldStop
Serie U/U4, 5a generazione, Field-Stop
Serie S, 4a generazione, NPT


IGBT discreti e moduli, Fuji Electric


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.