Infineon No MOSFET 2ED2106S06FXUMA1 MOSFET, 290 mA 2, DSO, 8 Pin 20 V
- RS Stock No.:
- 226-6020
- Mfr. Part No.:
- 2ED2106S06FXUMA1
- Brand:
- Infineon
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- 2ED2106S06FXUMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 290mA | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 80ns | |
| Tipo di package | DSO | |
| Numero di uscite | 2 | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Tempo di salita | 100ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 20V | |
| Numero driver | 2 | |
| Tensione massima di alimentazione | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.72mm | |
| Serie | 2ED2106S06F | |
| Larghezza | 3.9 mm | |
| Lunghezza | 4.9mm | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | No | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 290mA | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 80ns | ||
Tipo di package DSO | ||
Numero di uscite 2 | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Tempo di salita 100ns | ||
Tensione minima di alimentazione 20V | ||
Numero driver 2 | ||
Tensione massima di alimentazione 20V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.72mm | ||
Serie 2ED2106S06F | ||
Larghezza 3.9 mm | ||
Lunghezza 4.9mm | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon 2ED2106S06F è un MOSFET di potenza ad alta tensione e alta velocità e un driver IGBT con canali di uscita indipendenti high-side e low-side. Si basa sulla tecnologia SOI e offre un'eccellente robustezza e immunità ai disturbi con la capacità di mantenere la logica operativa a tensioni negative fino a - 11 pin von VS su tensione transitoria. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulso elevata progettato per una conduzione incrociata minima del driver.
Canale flottante progettato per le operazioni bootstrap
Tensioni d'esercizio (nodo VS) fino a + 650 V.
Massima tensione di bootstrap (nodo VB) di + 675 V.
Diodo bootstrap ultra-rapido e a bassa resistenza integrato
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