Driver gate MOSFET IRS2118STRPBF, 290 mA, 20V, SOIC, 8-Pin

Infineon IRS2118 è un MOSFET di potenza ad alta tensione e alta velocità e un driver IGBT. Le tecnologie HVIC proprietarie e CMOS immune al latch consentono una struttura robusta di mono­lithic. L'ingresso logico è compatibile con le uscite CMOS standard. Il driver di uscita è dotato di uno stadio buffer a corrente di impulso elevata progettato per una conduzione incrociata minima. Il canale flottante può essere utilizzato per pilotare un MOSFET di potenza a canale N o IGBT nella configurazione high-side o low-side che funziona fino a 600 V.

Gamma di alimentazione dello stadio pilota da 10 V a 20V
Limitazione di sottotensione
Ingressi CMOS ad attivazione Schmitt con pull-down
Uscita in fase con ingresso