Infineon No MOSFET IRS2118STRPBF MOSFET, 290 mA, SOIC, 8 Pin 20 V
- Codice RS:
- 226-6194
- Codice costruttore:
- IRS2118STRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6194
- Codice costruttore:
- IRS2118STRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 290mA | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 65ns | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Numero di uscite | 5 | |
| Tempo di salita | 75ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 20V | |
| Tensione massima di alimentazione | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | IRS | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 290mA | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 65ns | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Numero di uscite 5 | ||
Tempo di salita 75ns | ||
Tensione minima di alimentazione 20V | ||
Tensione massima di alimentazione 20V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie IRS | ||
Altezza 1.75mm | ||
Larghezza 4 mm | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon IRS2118 è un MOSFET di potenza ad alta tensione e alta velocità e un driver IGBT. Le tecnologie HVIC proprietarie e CMOS immune al latch consentono una struttura robusta di monolithic. L'ingresso logico è compatibile con le uscite CMOS standard. Il driver di uscita è dotato di uno stadio buffer a corrente di impulso elevata progettato per una conduzione incrociata minima. Il canale flottante può essere utilizzato per pilotare un MOSFET di potenza a canale N o IGBT nella configurazione high-side o low-side che funziona fino a 600 V.
Gamma di alimentazione dello stadio pilota da 10 V a 20V
Limitazione di sottotensione
Ingressi CMOS ad attivazione Schmitt con pull-down
Uscita in fase con ingresso
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