Modulo Driver gate 2ED21091S06FXUMA1, CMOS, LSTTL, 290 mA, 10/20V, DSO-8

Il driver gate IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità half-bridge da 650 V Infineon con corrente di sorgente tipica di 0,29 e corrente di dissipazione di 0,7 in contenitore DSO-8. Basato sulla tecnologia SOI Infineon, con un'eccellente robustezza e immunità al rumore contro le tensioni transitorie negative sul pin VS. Nessuna struttura a tiristore parassita è presente nel dispositivo, pertanto nessun blocco parassita in tutte le condizioni di temperatura e tensione.

Diodo bootstrap a bassa resistenza ultrarapido integrato, che riduce il costo BOM
Canale flottante progettato per il funzionamento con bootstrap
Blocco sottotensione indipendente per entrambi i canali
L'ingresso DT/SD a doppia funzione disattiva entrambi i canali