Driver gate MOSFET IR21531PBF, CMOS, 16.8V, PDIP, 8-Pin

Driver half-bridge, LO in fase con RT, frequenza di oscillazione programmabile, tempo morto 0,6 us in un contenitore DIP a 8 pin e fase differenziale

Driver gate half-bridge integrato da 600 V
Morsetto Zener da 15,6 V su Vcc
Avvio a micropotenza reale
Controllo del tempo morto iniziale più stretto
Basso tempo morto con coefficiente di temperatura
Funzione di spegnimento (1/6° V c.c.) sul pin CT
Maggiore isteresi di blocco sottotensione (1 V)
Circuito di commutazione del livello di potenza inferiore
Larghezze d'impulso LO, HO costanti all'avvio
Driver gate di di/dt inferiore per una migliore immunità al rumore
Uscita laterale bassa in fase con RT
Diodo bootstrap interno da 50 ns (tipico) (IR21531D)
Eccellente immunità al blocco su tutti gli ingressi e le uscite
Protezione ESd su tutti i cavi
Disponibile anche senza piombo

Resistenza fluorescente per illuminazione
Lato primario

Conversione di potenza c.a.-c.c., Infineon