Memoria SRAM Renesas Electronics da 32Mbit, Parole 2M x 16 bit, 48 Pin, FBGA, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 767-5957
- Codice costruttore:
- R1WV3216RBG-7SI#B0
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Prodotto discontinuato
- Codice RS:
- 767-5957
- Codice costruttore:
- R1WV3216RBG-7SI#B0
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- JP
Dettagli prodotto
SRAM a bassa potenza, serie R1WV, Renesas Electronics
La serie R1WV di RAM statiche avanzate a bassa tensione è adatta per le applicazioni di memoria in cui un semplice interfacciamento, il funzionamento a batteria e la batteria di emergenza sono gli obiettivi di progettazione importanti.
Alimentazione singola da 2,7 V a 3,6 V
Corrente in standby ridotta
Nessun orologio, non è necessario alcun aggiornamento
Tutti gli ingressi e le uscite sono compatibili con TTL
Corrente in standby ridotta
Nessun orologio, non è necessario alcun aggiornamento
Tutti gli ingressi e le uscite sono compatibili con TTL
SRAM (memoria ad accesso causale statica)
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Dimensioni memoria | 32Mbit |
Organizzazione | Parole 2M x 16 bit |
Numero di parole | 2M |
Numero di bit per parola | 16bit |
Tempo di accesso casuale massimo | 70ns |
Bassa potenza | Sì |
Temporizzazione | Asincrono |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Tipo di package | FBGA |
Numero pin | 48 |
Dimensioni | 7.5 x 8.5 x 0.8mm |
Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V |
Altezza | 0.8mm |
Lunghezza | 7.5mm |
Minima temperatura operativa | -40 °C |
Tensione di alimentazione operativa minima | 2,7 V |
Massima temperatura operativa | +85 °C |
Larghezza | 8.5mm |
- Codice RS:
- 767-5957
- Codice costruttore:
- R1WV3216RBG-7SI#B0
- Costruttore:
- Renesas Electronics