Scheda di valutazione per IGBT, MOSFET di potenza a canale N. Demonstration Board L6491

L6491 è un dispositivo ad alta tensione realizzato con la tecnologia BCD6 "OFF-LINE". Si tratta di un driver gate half-bridge a chip singolo per MOSFET di potenza a canale N o IGBT, con capacità di assorbimento e corrente di sorgente di 4 A. La sezione high-side (flottante) è progettata per una guida di tensione fino a 600 V. Gli ingressi logici sono compatibili CMOS/TTL fino a 3,3 V per un facile interfacciamento con un microcontrollore o DSP.
È disponibile un comparatore integrato per una protezione rapida da sovracorrente, ed è adatto anche per altre funzioni come la sovratemperatura, ecc.
la scheda EVAL6491HB consente di valutare tutte le caratteristiche del modello L6491 durante l'azionamento di un interruttore di potenza con tensione nominale fino a 600 V in contenitori TO-220 o TO-247.
La scheda consente di selezionare e modificare facilmente i valori dei relativi componenti esterni al fine di facilitare la valutazione delle prestazioni del conducente in diverse condizioni applicative e la pre-regolazione fine dei componenti dell'applicazione finale.