Scheda di valutazione Convertitore c.c.-c.c. per Alimentatori industriali EVAL_3K3W_BIDI_PSFB

Questa scheda di valutazione introduce una soluzione di sistema completa Infineon estremamente efficiente per un convertitore c.c.-c.c. bidirezionale da 3300 W destinato alle telecomunicazioni, all'alimentazione per la formazione di batterie e alle applicazioni di robotica industriale.
Il MOSFET a supergiunzione CFD7 CoolMOSTM da 600 V di Infineon in contenitore ThinPAK è il dispositivo a diodo corpo rapido più recente e dalle migliori prestazioni. In combinazione con un pacchetto a basso rischio di parassiti e un layout ottimizzato, ottiene grandi prestazioni con lo stress minimo. L'innovativo concetto di raffreddamento presentato in questa scheda ne consente notevoli prestazioni.
Questa scheda raggiunge un'efficienza del 98% in modalità buck e del 97% in modalità boost. La densità di potenza raggiunta è nella gamma di 4,34 W/cm3 (71,19 W/poll3), che è resa possibile dall'uso di contenitori SMD e dall'innovativa struttura magnetica impilata.

Se combinato con le più recenti tecnologie di Infineon, questo convertitore c.c.-c.c. dimostra la fattibilità e l'elevata efficienza dei progetti PSFB a livello di topologie completamente risonanti.
L'EVAL_3K3W_BIDI_PSFB mostra inoltre che la topologia PSFB può essere utilizzata come uno stadio c.c.-c.c. bidirezionale senza modifiche nella progettazione standard o nella costruzione di una topologia tradizionale e ben nota. Ciò è ottenuto grazie alle innovazioni nelle tecniche di controllo alimentate da controllo digitale e microcontrollori XMCTM.

•PSFB ad alta efficienza
•PSFB ad alta densità di potenza
•PSFB bidirezionale
•PSFB a controllo digitale
•Nuovo concetto magnetico integrato
•Nuovo concetto di raffreddamento SMD

•Migliore e più recente tecnologia diodo corpo rapido HV di Infineon
•Migliore e più recente tecnologia di raddrizzatori sincroni LV di Infineon
•Capacità bidirezionale di PSFB (brevettato)
•Nuovo concetto magnetico integrato
•Nuovo concetto di raffreddamento SMD

•mOSFET a supergiunzione CoolMOS™ CFD7 da 600 V (IPL60R075CFD7) 222-4912
•CoolSiC™ Diodo Schottky 650V G6 (IDH08G65C6) 216-8382
•mOSFET a supergiunzione CoolMOS™ da 800 V (IPU80R4K5P7) 222-4717
•mOSFET di potenza OptiMOS™ 5 da 150 V in contenitore Super SO-8 (BSC093N15NS5) 214-4325
•EiceDRIVER™ 2EDS, circuito integrato con gate driver isolato (2EDS8265H) 258-0627
•EiceDRIVER™ 2EDF, circuito integrato con gate driver isolato (2EDF7275F) 244-0940
•Controllore flyback PWM quasi risonante (ICE5QSAG)
•Diodo Schottky AF di media potenza (BAT165) 249-6997
•Regolatore di tensione c.c.-c.c. step-down (IFX91041EJV33)