Scheda di valutazione Driver gate MOSFET per Motori 1ED3491MX12M

Infineon EVAL-1ED3491MX12M è in configurazione half-bridge con due IC driver gate (1ED3491MU12M) per azionare interruttori di potenza come MOSFET si, IGBT e MOSFET SiC. Il tipo di interruttore può essere scelto liberamente. La scheda ha una dimensione di 85 x 55 x 15 mm senza alcun interruttore di alimentazione assemblato. Si consiglia di utilizzare IGBT TRENCHSTOP IKW40N120H3 o MOSFET CoolSiC IMW120R030M1H. Questa scheda è la soluzione ideale per test e valutazione a doppio impulso. L'interfaccia di alimentazione a bassa tensione può essere controllata da un generatore di impulsi, un microcontrollore o qualsiasi altro circuito digitale adatto. La scheda di valutazione è dotata di un alimentatore per i lati primario e secondario implementato.

Arresto per sovratemperatura a 160 °C (±10 °C)
Adattamento stretto del ritardo di propagazione da IC a IC (30 ns max)
Elevata immunità ai transitori in modalità comune CMTI >200 kV/μs
Adatto per il funzionamento a temperature ambiente elevate fino a 125 °C.
Consentono cicli di progettazione rapidi grazie al basso numero di componenti esterni e offrono COMUNQUE DESATURAZIONE regolabile con funzionalità Soft-off

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