Scheda di espansione Driver gate IGBT per Schede di prova a doppio impulso EVAL-1ED020I12F2-DB Enhanced isolated driver

La seconda revisione della piattaforma di valutazione CoolSiC™ Infineon in una configurazione high-side/low-side con due IC gate driver (1ED020I12-F2). Questa piattaforma è stata sviluppata per mostrare l'azionamento ottimale dei MOSFET CoolSiC™ o di altri interruttori di potenza come IGBT e MOSFET in contenitori TO247 a 3 o 4 pin. Per raggiungere questo obiettivo, il design è stato suddiviso in due schede, una scheda madre EVAL-PS-DP-MAIN e una scheda di espansione, EVAL-1ED020I12F2-DB. L'approccio modulare consente l'espansione futura della piattaforma con ulteriori schede gate driver. Il tipo di interruttore può essere scelto liberamente. Supporta la scheda di espansione del gate driver isolato utilizzando 1ED020I12-F2 per valutare il MOSFET CoolSiC™ da 1200 V. L'EVAL-1ED020I12F2-DB fa parte della seconda revisione della piattaforma di valutazione CoolSiC™ in una configurazione high-side/low-side con due IC gate driver (1ED020I12-F2).

IC gate driver isolato a canale singolo (1ED-F2)
Corrente di uscita tipica rail-to-rail 2 A
Protezione DESAT di precisione, rilevamento VCEsat
Morsetto attivo Miller
Spegnimento attivo e bloccaggio cortocircuito
Tensione di alimentazione di uscita assoluta max. 28 V
Ritardo di propagazione tipico 170/165 ns

Questa piattaforma è stata sviluppata per mostrare l'azionamento ottimale dei MOSFET CoolSiC™ o di altri interruttori di potenza come IGBT e MOSFET in contenitori TO247 a 3 o 4 pin. Per raggiungere questo obiettivo il design è stato suddiviso in due schede, una scheda madre EVAL-PS-DP-MAIN e una