- Codice RS:
- 273-2063
- Codice costruttore:
- EVAL1ED3142MU12FSICTOBO1
- Costruttore:
- Infineon
Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 19/08/2024.
Aggiunto
Prezzo per Unità
88,38 €
(IVA esclusa)
107,82 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 - 1 | 88,38 € |
2 - 4 | 86,05 € |
5 - 9 | 83,84 € |
10 + | 81,76 € |
- Codice RS:
- 273-2063
- Codice costruttore:
- EVAL1ED3142MU12FSICTOBO1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Scheda di valutazione per driver gate isolato a canale singolo 1ED3142MU12F - 2300 V, 6,5 A, 3 kV (rms)
L'EVAL-1ED3142MU12F-SIC è in configurazione half-bridge con due IC driver gate (1ED3142MU12F) per azionare interruttori di potenza come IGBT, MOSFET e MOSFET SiC.
Questa scheda viene fornita pre-popolata con due MOSFET CoolSiCTM IMZA120R020M1H, un ulteriore IC driver gate viene utilizzato per il segnale di feedback di sovracorrente isolato dal lato ad alta tensione al lato di controllo logico, l'amplificatore operativo rapido viene utilizzato come comparatore per il rilevamento di sovracorrente. È più adatto per i test a doppio impulso.
1ED3142MU12F appartiene alla famiglia EiceDRIVERTM Compact 1ED31xx (famiglia compatta X3). 1ED3142MU12F offre uscita di sorgente e dissipatore separata, temporizzazione precisa e stabile, spegnimento attivo per garantire uno stato di spento sicuro del transistor di potenza nel caso in cui il chip di uscita non sia collegato all'alimentazione, serraggio di cortocircuito per limitare la tensione del gate durante il cortocircuito. Il driver può funzionare su un'ampia gamma di tensioni di alimentazione, unipolari o bipolari.
Questa scheda viene fornita pre-popolata con due MOSFET CoolSiCTM IMZA120R020M1H, un ulteriore IC driver gate viene utilizzato per il segnale di feedback di sovracorrente isolato dal lato ad alta tensione al lato di controllo logico, l'amplificatore operativo rapido viene utilizzato come comparatore per il rilevamento di sovracorrente. È più adatto per i test a doppio impulso.
1ED3142MU12F appartiene alla famiglia EiceDRIVERTM Compact 1ED31xx (famiglia compatta X3). 1ED3142MU12F offre uscita di sorgente e dissipatore separata, temporizzazione precisa e stabile, spegnimento attivo per garantire uno stato di spento sicuro del transistor di potenza nel caso in cui il chip di uscita non sia collegato all'alimentazione, serraggio di cortocircuito per limitare la tensione del gate durante il cortocircuito. Il driver può funzionare su un'ampia gamma di tensioni di alimentazione, unipolari o bipolari.
Scheda di valutazione per driver gate isolato a canale singolo 1ED3142MU12F - 2300 V, 6,5 A, 3 kV (rms)
Driver gate isolato compatto a canale singolo EiceDRIVERTM famiglia 1ED31xx (famiglia compatta X3)
Per l'uso con IGBT 650 V/1200 V/1700 V/2300 V/, Si e SiC MOSFET
Tensione di offset funzionale di 2300 V in grado di applicazioni selezionate
Driver gate trasformatore senza nucleo isolato galvanicamente
Corrente di uscita di picco di assorbimento e sorgente di 6,5 A
Tensione di alimentazione di uscita massima assoluta 35 V
Ritardo di propagazione di 45 ns con filtro di ingresso di 20 ns
CMTI ad elevata immunità ai transienti in modalità comune >300 kV/μs
Uscite sorgente e dissipatore separate
Serraggio a cortocircuito e spegnimento attivo
Contenitore a corpo stretto DSO-8 da 150 mil
Per l'uso con IGBT 650 V/1200 V/1700 V/2300 V/, Si e SiC MOSFET
Tensione di offset funzionale di 2300 V in grado di applicazioni selezionate
Driver gate trasformatore senza nucleo isolato galvanicamente
Corrente di uscita di picco di assorbimento e sorgente di 6,5 A
Tensione di alimentazione di uscita massima assoluta 35 V
Ritardo di propagazione di 45 ns con filtro di ingresso di 20 ns
CMTI ad elevata immunità ai transienti in modalità comune >300 kV/μs
Uscite sorgente e dissipatore separate
Serraggio a cortocircuito e spegnimento attivo
Contenitore a corpo stretto DSO-8 da 150 mil
Vantaggi
I filtri integrati riducono la necessità di filtri esterni
Accoppiamento stretto del ritardo di propagazione IC-IC (7 ns max.), la tolleranza migliora la robustezza dell'applicazione senza variazioni dovute all'invecchiamento, alla corrente e alla temperatura
Adatto per il funzionamento a temperatura ambiente elevata e in applicazioni a commutazione rapida
UL 1577 VISO = 3,6 kV (rms) per 1 s, 3,0 kV (rms) per 1 min
Il ritardo di propagazione stretto consente un tempo morto minimo, migliorando l'efficienza del sistema e riducendo la distorsione armonica
La soglia e i tempi precisi, combinati con la certificazione UL 1577, consentono un'eccellente sicurezza dell'applicazione
Accoppiamento stretto del ritardo di propagazione IC-IC (7 ns max.), la tolleranza migliora la robustezza dell'applicazione senza variazioni dovute all'invecchiamento, alla corrente e alla temperatura
Adatto per il funzionamento a temperatura ambiente elevata e in applicazioni a commutazione rapida
UL 1577 VISO = 3,6 kV (rms) per 1 s, 3,0 kV (rms) per 1 min
Il ritardo di propagazione stretto consente un tempo morto minimo, migliorando l'efficienza del sistema e riducendo la distorsione armonica
La soglia e i tempi precisi, combinati con la certificazione UL 1577, consentono un'eccellente sicurezza dell'applicazione
Applicazioni
Ricarica EV
Controllo motore e azionamenti
Fotovoltaico
Alimentatori per server
Alimentatori ininterrotti (UPS)
Controllo motore e azionamenti
Fotovoltaico
Alimentatori per server
Alimentatori ininterrotti (UPS)
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Funzione di gestione alimentazione | IGBT, Driver MOSFET |
Utilizzabile con | MOSFET |
Classificazione kit | Scheda di valutazione |
Dispositivo completo | Gate Driver IC |
Nome kit | EVAL-1ED3142MU12F-SIC |
- Codice RS:
- 273-2063
- Codice costruttore:
- EVAL1ED3142MU12FSICTOBO1
- Costruttore:
- Infineon
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