Scheda di valutazione Driver half bridge EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN 1EDF5673K EiceDRIVER™ GaN gate driver IC

La scheda di valutazione half-bridge ad alta frequenza Infineon con EiceDRIVER™ GaN, la piattaforma per circuiti half-bridge è dotata di un singolo ingresso PWM progettato per il collegamento di un generatore di impulsi da 50 Ω. Il design è alimentato da un singolo ingresso di alimentazione da 5 V che alimenta tutto, compresi gli alimentatori per gate driver isolati. Il tempo morto tra il lato alto e basso è inizialmente impostato su 100 ns ma è regolabile tramite potenziometro. Un induttore esterno può essere collegato utilizzando il connettore inseribile in dotazione. La tensione di uscita e di bus può raggiungere 450 V, limitata dal valore nominale del condensatore. Questo half-bridge può commutare correnti continue di 12 A e correnti di picco di 35 A, con commutazione hard o soft. La frequenza di funzionamento può arrivare fino a diversi MHz, a seconda della dissipazione del transistor (limitata a circa 15 W per dispositivo con idoneo dissipatore di calore e flusso d'aria). Questa soluzione di sistema è disponibile come scheda hardware o progetto di riferimento.

Half-bridge GaN semplice con driver Ics GaN dedicato
Capacità di frequenze di commutazione multi-MHz
Recupero inverso zero, in grado di commutare tra commutazione hard o soft
I transistor GaN sono dotati di raffreddamento dall'alto per un'elevata dissipazione di potenza