Scheda di valutazione Driver half bridge per ISL2111 3A Source, 4A Sink, 100V, High Frequency Half-Bridge Drivers with

Le schede Renesas Electronics sono progettate per fornire un metodo rapido e completo per valutare il driver a mezzo ponte ad alta frequenza HIP2211 da 100 V per azionare i gate di due MOSFET a canale N in una configurazione a mezzo ponte. Due MOSFET a canale N (con ingombro doppio che supporta più contenitori come TO220 e DPAK) e un filtro LC induttore-condensatore sono inclusi sulle schede di valutazione per consentire la valutazione di un carico azionato a mezzo ponte come un regolatore di commutazione buck sincrono. Il driver a mezzo ponte HIP2211 è fornito in un contenitore SOIC da 8 Ld, DFN da 8 Ld o DFN da 10 Ld (con EPAD termico potenziato). Questa scheda di valutazione è progettata per il contenitore DFN da 10 Ld. Anche il contenitore DFN da 8 Ld può essere montato su questa scheda. Entrambe le schede funzionano da una tensione di alimentazione da 6 V a 18 V CC con la capacità di azionare sia i MOSFET lato alto che i MOSFET lato basso in una configurazione a mezzo ponte da 100 V.

Driver gate NMOS da sorgente 3 A e dissipatore 4 A
Shift di livello interno e diodo di bootstrap per driver gate su NFET high-side
Fino a 100 V di riferimento bootstrap lato alto
Da 6 V a 18 V di funzionamento ad alimentazione polarizzata bias
Ritardo di propagazione tipico rapido da 15 ns e ritardo di propagazione tipico di 2 ns che supporta fino a 1 MHz di funzionamento