Scheda di valutazione Driver gate MOSFET per NCP5156x NCV51561D2PAK7LGEVB: NCP/NCV51561 EVB OPN

I gate driver a doppio canale isolati on Semiconductor con corrente di Peak source e sink rispettivamente di 4,5-A/9-A. Sono progettati per la commutazione rapida per azionare MOSFET di potenza e interruttori di potenza MOSFET SiC. Il modello NCP51561 offre ritardi di propagazione brevi e abbinati. Il modello NCP51561 offre altre importanti funzioni di protezione, come ad esempio il blocco di sicurezza contro sottotensione indipendente per entrambi i driver gate e la funzione di abilitazione.

Migliorare l'efficienza e consentire l'azionamento diretto di interruttori ad alta potenza
Ottima integrità del segnale e si adatta ad applicazioni con elevata velocità di commutazione
Maggiore robustezza in applicazioni di commutazione ad alta tensione e corrente elevata con velocità di risposta rapida