Kit di sviluppo Driver half bridge per HIP2210 Evaluation Board

La scheda di valutazione Renesas è stata progettata per fornire un metodo rapido e completo per valutare il driver half-bridge HIP2210 da 100 V, 3 A source, 4 A sink, ad alta frequenza per pilotare i gate di due MOSFET a canale N in una configurazione half-bridge. Due MOSFET a canale N (con ingombro doppio che supporta più contenitori come TO220 e DPAK) e un filtro LC induttore-condensatore sono inclusi sulle schede di valutazione per consentire la valutazione di un carico azionato a mezzo ponte come un regolatore di commutazione buck sincrono.

Trasformatore di livello interno e diodo di bootstrap per il gate driver su NFET high-side
Fino a 100 V di riferimento bootstrap lato alto
Da 6 V a 18 V di funzionamento ad alimentazione polarizzata bias
Il veloce ritardo di propagazione tipico di 15 ns e la corrispondenza del ritardo di propagazione tipico di 2 ns supportano il funzionamento fino a 1 MHz