Scheda di valutazione Driver gate MOSFET per Scheda madre di valutazione 2ED2410-EM 24 V EB 2ED2410 3D 1BCDP Gate

Questa scheda figlia appartiene a una famiglia di schede di valutazione che possono essere combinate con la scheda madre di valutazione 2ED2410-EM 24 V (EB 2ED2410 3M). Queste schede figlie sono utilizzate per gestire diverse configurazioni MOSFET e shunt che si trovano tipicamente nelle moderne distribuzioni di potenza automobilistiche per reti a scheda da 12 e 24 V.

Questa scheda figlia EB 2ED2410 3D 1BCDP si rivolge a un canale di carico ed è composta da due MOSFET di potenza OptiMOSTM5 da 60 V (1,1 mOhm) in una configurazione di drenaggio comune back2back. Inoltre, il carico può essere precaricato con un percorso di precarica dedicato.

•EB 2ED2410 3D 1BCS: MOSFET di potenza da 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - sorgente comune, shunt da 0,5 mOhm
•EB 2ED2410 3D 1BCD: MOSFET di potenza da 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - drenaggio comune, shunt da 0,5 mOhm
•EB 2ED2410 3D 1BCSP: MOSFET di potenza da 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - sorgente comune, shunt da 0,5 mOhm, con precarica

•Adatto per reti su scheda da 12 e 24 V
•In combinazione con la scheda madre di valutazione 2ED2410-EM 24 V (EB 2ED2410 3M)
•Resistenza shunt da 0,5 mOhm
•MOSFET di potenza OptiMOSTM5 da 60 V (1,1 Ohm) adatto per reti a scheda da 12 e 24 V
•Monitoraggio della temperatura MOSFET con resistenze NTC
•Percorso di precarica dedicato per carichi con capacità di ingresso elevata
•Corrente nominale fino a 20 A continua o 30 A per 10 min