Scheda di valutazione Driver gate MOSFET per Protezione dei cavi regolabile EB 2ED2410 3M Gate Driver, Power MOSFET
- Codice RS:
- 273-2062
- Codice costruttore:
- EB2ED24103MTOBO1
- Costruttore:
- Infineon
Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Prezzo per Unità
73,43 €
(IVA esclusa)
89,58 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
---|---|
1 - 1 | 73,43 € |
2 - 4 | 71,49 € |
5 - 9 | 69,66 € |
10 + | 67,92 € |
- Codice RS:
- 273-2062
- Codice costruttore:
- EB2ED24103MTOBO1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
273-2062
Questa scheda madre di valutazione contiene il driver gate MOSFET 2ED2410-EM pronto per ISO26262 con protezione dei cavi I-T regolabile per la distribuzione dell'alimentazione automobilistica con protezione dei cavi I-T regolabile. Questa scheda è adatta per reti di scheda da 12 V e 24 V e contiene il regolatore di tensione a bassa caduta OPTIREGTM TLE4296GV50 per fornire la tensione di alimentazione digitale da 5 V su questa scheda. Con l'aiuto di un pulsante, il driver gate può essere resettato, ad esempio da una modalità "Safestate" alla modalità "Idle" o alla modalità "On". Questa scheda può essere utilizzata con diverse schede figlie, che hanno diverse disposizioni MOSFET di potenza OptiMOSTM5 con e senza un percorso di precarica dedicato progettato per un canale di carico:
MOSFET di potenza EB 2ED2410 3D 1BCS: 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - sorgente comune, shunt da 0,5 mOhm
MOSFET di potenza EB 2ED2410 3D 1BCD: 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - drenaggio comune, shunt da 0,5 mOhm
MOSFET di potenza EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - sorgente comune, shunt da 0,5 mOhm, con precarica
MOSFET di potenza EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - drenaggio comune, shunt da 0,5 mOhm, con precarica
MOSFET di potenza EB 2ED2410 3D 1BCD: 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - drenaggio comune, shunt da 0,5 mOhm
MOSFET di potenza EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - sorgente comune, shunt da 0,5 mOhm, con precarica
MOSFET di potenza EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - drenaggio comune, shunt da 0,5 mOhm, con precarica
Riepilogo delle caratteristiche
Adatto per reti su scheda da 12 e 24 V
Combinazione con diversi MOSFET e schede secondarie shunt
Supporto di schede figlie con percorso di pre-carica dedicato
Protezione contro le sovracorrenti con soglie regolabili
Protezione dei cavi I-t regolabile
LED indicatori
Possibilità di reset
Combinazione con diversi MOSFET e schede secondarie shunt
Supporto di schede figlie con percorso di pre-carica dedicato
Protezione contro le sovracorrenti con soglie regolabili
Protezione dei cavi I-t regolabile
LED indicatori
Possibilità di reset
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Funzione di gestione alimentazione | Driver gate MOSFET |
Utilizzabile con | Protezione dei cavi regolabile |
Classificazione kit | Scheda di valutazione |
Dispositivo completo | Gate Driver, Power MOSFET |
Nome kit | EB 2ED2410 3M |