Scheda di valutazione Driver gate MOSFET per MOSFET di potenza a diodo rapido Low Voltage Drives Scalable Power

Questo modulo di scheda di alimentazione kit che utilizza il MOSFET a diodo rapido (FD) da 200 V OptiMOSTM in D2PAK rappresenta il blocco di alimentazione della piattaforma di dimostrazione della scheda di alimentazione scalabile LVD. Funziona come un singolo mezzo ponte con interconnessioni di alimentazione e azionamento gate, consentendo la facile accumulazione di qualsiasi topologia di potenza basata su mezzo ponte.

Le varianti della scheda di potenza che impiegano la famiglia di MOSFET di potenza OptiMOSTM di Infineon nei contenitori D2PAK, D2PAK-7 e TO-Leadless dimostrano le prestazioni dei MOSFET di potenza in termini di parallelizzazione e comportamento termico.

•KIT_LGPWR_BOM003 (80 V TO-cordless)

•KIT_LGPWR_BOM004 (60 V TO-cordless)

•KIT_LGPWR_BOM005 (100 V D2PAK a 7 pin)

•KIT_LGPWR_BOM006 (150 V D2PAK a 7 pin)

•KIT_LGPWR_BOM007 (200 V D2PAK)

•KIT_LGPWR_BOM008 (250 V D2PAK)

•KIT_LGPWR_BOM010 (100 V TO-cordless)

•KIT_LGPWR_BOM013 (100 V TOLG)

•KIT_LGPWR_BOM015 (200 V D2PAK)

•Circuito stampato IMS per un maggiore raffreddamento

•Terminali di alimentazione SMD con filettatura M5

•Terminali con punto di prova a bordo scheda

•Diodo rapido (FD) OptiMOSTM 200 V (IPB117N20NFD)

•Unità

•eMobility

•Azionamenti industriali

•Veicoli elettrici a bassa velocità

•Controllo motore e azionamenti

•Utensili elettrici cordless