Amplificatore RF BGA5H1BN6E6327XTSA1, guadagno 18,1 dB 2690 MHz, TSNP-6-10 6 Pin

Visualizza Amplificatori RF CI

Prezzo per 1 bobina da 12000 unità*

3456,00 €

(IVA esclusa)

4212,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 27 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
12000 +0,288 €3.456,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
258-0655
Codice costruttore:
BGA5H1BN6E6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di amplificatore

Basso rumore

Guadagno potenza tipico

18,1 dB

Potenza di uscita tipica

60mW

Figura di rumore tipica

1.2dB

Frequenza operativa massima

2690 MHz

Tipo di package

TSNP-6-10

Numero pin

6

L'amplificatore a bassa rumorosità ad alto guadagno Infineon per LTE ad alta banda è la velocità di trasferimento dati LTE che può essere notevolmente migliorata utilizzando l'amplificatore a bassa rumorosità. Funzione di bypass integrata
aumenta la gamma dinamica complessiva del sistema e porta a una maggiore flessibilità nel front-end RF. Nella modalità ad alto guadagno, l'LNA offre la migliore cifra di rumore per garantire elevate velocità di trasferimento dati anche sul bordo della cella LTE. Più vicino alla stazione di base, la modalità di bypass può essere attivata riducendo il consumo di corrente.

Basso consumo di corrente di 8,5 mA
Controllo multi-stato: bypass e modalità ad alto guadagno
Contenitore senza cavo TSNP-6-10 ultracompatto
Uscita RF corrispondente internamente a 50 Ohm
Basso numero di componenti esterni

Link consigliati