EEPROM M24C08-GCT8TP/T I2C STMicroelectronics, da 1 kB, WLCSP, Superficie, 4 Pin
- Codice RS:
- 719-627
- Codice costruttore:
- M24C08-GCT8TP/T
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 719-627
- Codice costruttore:
- M24C08-GCT8TP/T
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | EEPROM | |
| Dimensione memoria | 1kB | |
| Tipo di interfaccia | I2C | |
| Tipo di package | WLCSP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Frequenza di clock massima | 1MHz | |
| Organizzazione | 1K x 8 | |
| Tensione massima di alimentazione | 1.8V | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Serie | M24C08 | |
| Lunghezza | 1mm | |
| Altezza | 0.3mm | |
| Larghezza | 0.7mm | |
| Conservazione dei dati | 200anno | |
| Corrente di alimentazione | 5mA | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto EEPROM | ||
Dimensione memoria 1kB | ||
Tipo di interfaccia I2C | ||
Tipo di package WLCSP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Frequenza di clock massima 1MHz | ||
Organizzazione 1K x 8 | ||
Tensione massima di alimentazione 1.8V | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Serie M24C08 | ||
Lunghezza 1mm | ||
Altezza 0.3mm | ||
Larghezza 0.7mm | ||
Conservazione dei dati 200anno | ||
Corrente di alimentazione 5mA | ||
- Paese di origine:
- SG
EEPROM (memoria di sola lettura programmabile cancellabile elettricamente) compatibile con I2C da 8 Kbit di STMicroelectronics, organizzata come 1 K x 8 bit. Può funzionare con una tensione di alimentazione di 1,8 V ± 5% su un intervallo di temperatura ambiente di -40 °C/+85 °C, con una frequenza di clock massima di 400 kHz. Il prodotto offre l'I/O compatibile con 1,2 V, ed è fornito in un contenitore a 4 sfere a scala chip a livello di wafer.
Protezione ESD/latch-up migliorata 3 kV (HBM)
Oltre 4 milioni di cicli di scrittura
Conservazione dei dati per oltre 200 anni
Protezione da scrittura hardware dell'intero array di memoria
Modalità di lettura casuale e sequenziale
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