Memoria EEPROM parallela Parallelo Microchip, da 1Mbit, PLCC, SMD, 32 pin
- Codice RS:
- 177-1455
- Codice costruttore:
- AT28C010E-12JU
- Costruttore:
- Microchip
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 177-1455
- Codice costruttore:
- AT28C010E-12JU
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Dimensioni memoria | 1Mbit | |
| Interfacce | Parallelo | |
| Tipo di package | PLCC | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 32 | |
| Organizzazione | 128000 byte x 8 bit | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 4,5 V | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 5,5 V | |
| Tensione di programmazione | 4.5 → 5.5V | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Dimensioni | 11.5 x 14.04 x 3.17mm | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 120ns | |
| Data Retention | 10anno | |
| Numero di parole | 128K | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Dimensioni memoria 1Mbit | ||
Interfacce Parallelo | ||
Tipo di package PLCC | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 32 | ||
Organizzazione 128000 byte x 8 bit | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 4,5 V | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 5,5 V | ||
Tensione di programmazione 4.5 → 5.5V | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Dimensioni 11.5 x 14.04 x 3.17mm | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Tempo di accesso casuale massimo 120ns | ||
Data Retention 10anno | ||
Numero di parole 128K | ||
La EEPROM parallela Microchip AT28C010 1Mbit offre tempi di accesso a 120ns con dissipazione di potenza di 220mW (440mW per applicazioni militari). Funziona su una gamma di tensione da 4,5 V a 5,5 V. la corrente di standby CMOS deselezionata è inferiore a 200μA 300μA (per applicazioni militari). È dotato di un circuito di correzione degli errori interno per una maggiore durata e una migliore conservazione dei dati.
Tempo di accesso in lettura rapido di 120 ns
Indirizzi interni e blocchi dati per 128 byte
Timer di controllo interno
Tempo di ciclo di scrittura pagina massimo 10ms
Bassa dissipazione di potenza
Protezione dei dati hardware e software
Polling DEI DATI per la fine del rilevamento della scrittura
Durata standard di 100.000 cicli
Conservazione dei dati di 10 anni
Ingressi e uscite compatibili CMOS e TTL
Temperatura d'esercizio compresa tra -40 °C e +85 °C.
32 conduttori, contenitore in plastica PLCC (Plastic Leaded chip Carrier)
Indirizzi interni e blocchi dati per 128 byte
Timer di controllo interno
Tempo di ciclo di scrittura pagina massimo 10ms
Bassa dissipazione di potenza
Protezione dei dati hardware e software
Polling DEI DATI per la fine del rilevamento della scrittura
Durata standard di 100.000 cicli
Conservazione dei dati di 10 anni
Ingressi e uscite compatibili CMOS e TTL
Temperatura d'esercizio compresa tra -40 °C e +85 °C.
32 conduttori, contenitore in plastica PLCC (Plastic Leaded chip Carrier)
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