EEPROM M95M01-DFMN6TP Seriale I2C STMicroelectronics, da 1 MB, SOIC, 25 ns, Superficie, 8 Pin

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

6,91 €

(IVA esclusa)

8,43 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 4745 unità in spedizione dal 10 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 +1,382 €6,91 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
190-7642
Codice costruttore:
M95M01-DFMN6TP
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

EEPROM

Dimensione memoria

1MB

Tipo di interfaccia

Seriale I2C

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Frequenza di clock massima

16MHz

Organizzazione

128K x 8 bit

Tensione minima di alimentazione

1.7V

Tensione massima di alimentazione

5.5V

Numero bit per parola

8

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Standard/Approvazioni

RoHS 2011/65/EU

Lunghezza

5mm

Altezza

1.75mm

Larghezza

150 mm

Serie

M95M01

Numero parole

128k

Conservazione dei dati

200year

Corrente di alimentazione

5mA

Tempo massimo di accesso casuale

25ns

Standard automobilistico

AEC-Q100

I dispositivi M95M01 sono Memorie programmabili Elettricamente cancellabili (EEPROM) organizzate come 131072 x 8 bit, accessibili tramite il bus SPI. Il M95M01-R può funzionare con una gamma di alimentazione compresa tra 1,8 V e 5,5 V, il M95M01-DF può funzionare con una gamma di alimentazione compresa tra 1,7 V e 5,5 V. Questi dispositivi sono garantiti per temperature superiori a -40 °C/+85 °C.

Compatibile con il bus di interfaccia periferica seriale (SPI)

Matrice di memoria

1 Mbit (128 Kbyte) di EEPROM

Dimensioni pagina: 256 byte

Scrivere

Scrittura byte entro 5 ms.

Scrittura pagina entro 5 ms.

Pagina aggiuntiva bloccabile in scrittura (pagina di identificazione)

Protezione da scrittura: Un quarto, mezzo o intero array di memoria

Clock ad alta velocità: 16 MHz

Tensione di alimentazione singola:

Da 1,8 V a 5,5 V per M95M01-R.

Da 1,7 V a 5,5 V per M95M01-DF

Temperatura d'esercizio: Da -40 °C a +85 °C.

Protezione ESD potenziata

Più di 4 milioni di cicli di scrittura

Oltre 200 anni di conservazione dei dati

Contenitori:

SO8

TSSOP8

WLCSP

Wafer non segato (ogni die viene testato)

Link consigliati