Memoria EPROM cancellabile con UV M27C2001-10F6, 2Mbit, 256K x 8 bit, 100ns, CFDIP W 32 Pin
- Codice RS:
- 714-7645
- Codice costruttore:
- M27C2001-10F6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 714-7645
- Codice costruttore:
- M27C2001-10F6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Dimensioni memoria | 2Mbit | |
| Organizzazione | 256K x 8 bit | |
| Interfacce | Parallelo | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 100ns | |
| Tensione di programmazione | 12.75V | |
| Tecnica di riprogrammazione | UV | |
| Programmabilità In System | Esterno, In System | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di package | CFDIP W | |
| Numero pin | 32 | |
| Dimensioni | 42.04 x 13.36 x 4.5mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 5.5 V | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 4.5 V | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Tensione di alimentazione operativa tipica | 5 V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Dimensioni memoria 2Mbit | ||
Organizzazione 256K x 8 bit | ||
Interfacce Parallelo | ||
Tempo di accesso casuale massimo 100ns | ||
Tensione di programmazione 12.75V | ||
Tecnica di riprogrammazione UV | ||
Programmabilità In System Esterno, In System | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di package CFDIP W | ||
Numero pin 32 | ||
Dimensioni 42.04 x 13.36 x 4.5mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 5.5 V | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 4.5 V | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Tensione di alimentazione operativa tipica 5 V | ||
La STMicroelectronics M27C2001 è una EPROM ad alta velocità da 2 Mbit offerta nelle due gamme UV (cancellazione ultravioletti) e OTP (programmabile una volta). È particolarmente adatto per sistemi a microprocessore che richiedono grandi programmi ed è organizzato in 262.144 per 8 bit.
Tensione di programmazione 12,75 V ± 0,25 V.
Tempo di programmazione 100μs/parola
Tempo di accesso 55ns
Tempo di programmazione 100μs/parola
Tempo di accesso 55ns