Fotodiodo PIN al silicio ams OSRAM SFH 2707H 2 pin, 900 nm, rilevamento Da 400 a 1100 nm Superficie, Epossidico
- Codice RS:
- 748-001
- Codice costruttore:
- SFH 2707H
- Costruttore:
- ams OSRAM
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- Codice RS:
- 748-001
- Codice costruttore:
- SFH 2707H
- Costruttore:
- ams OSRAM
Specifiche
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ams OSRAM | |
| Tipo prodotto | Fotodiodo PIN al silicio | |
| Spettri rilevati | Da 400 a 1100 nm | |
| Lunghezza d'onda sensibilità di picco | 900nm | |
| Tipo di package | Epossidico trasparente | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Confezionamento | Nastro e avvolgicavo | |
| Numero aghi | 2 | |
| Lunghezza d'onda minima rilevata | 400nm | |
| Lunghezza d'onda massima rilevata | 1100nm | |
| Amplificato | No | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Larghezza | 1.8mm | |
| Lunghezza | 2.7mm | |
| Altezza | 0.6mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Corrente di buio | 0.6nA | |
| Serie | SFH | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio ams OSRAM | ||
Tipo prodotto Fotodiodo PIN al silicio | ||
Spettri rilevati Da 400 a 1100 nm | ||
Lunghezza d'onda sensibilità di picco 900nm | ||
Tipo di package Epossidico trasparente | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Confezionamento Nastro e avvolgicavo | ||
Numero aghi 2 | ||
Lunghezza d'onda minima rilevata 400nm | ||
Lunghezza d'onda massima rilevata 1100nm | ||
Amplificato No | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Larghezza 1.8mm | ||
Lunghezza 2.7mm | ||
Altezza 0.6mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Corrente di buio 0.6nA | ||
Serie SFH | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TW
Il fotodiodo PIN in silicio a banda larga ams OSRAM è un sensore ad alte prestazioni progettato per il rilevamento di precisione della luce nei dispositivi diagnostici digitali e nei dispositivi di monitoraggio dei segnali VITAL. Alloggiato in un contenitore epossidico compatto trasparente, offre un miglior rapporto area attiva/contenitore per la massima acquisizione del segnale.
Ottimizzato per il rilevamento nell'intervallo da 400 nm a 1100 nm
Protezione contro le scariche elettrostatiche fino a 2 kV secondo ANSI ESDA JEDEC JS 001
Dimensioni ridotte per progetti di circuiti in spazi ristretti
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