onsemi MOSFET MOSFET, 9 A 1, SOIC-8 NB, 8 Pin 20V
- Codice RS:
- 220-558P
- Codice costruttore:
- NCP51752CDDR2G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 95 | 3,208 € |
| 100 - 495 | 2,968 € |
| 500 - 995 | 2,732 € |
| 1000 + | 2,63 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-558P
- Codice costruttore:
- NCP51752CDDR2G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 9A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 8.3ns | |
| Tipo di package | SOIC-8 NB | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Numero di uscite | 1 | |
| Tempo di salita | 22ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 3V | |
| Tensione massima di alimentazione | 20V | |
| Numero driver | 1 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q100-011, GB4943.1-2011, IEC 62386-1, UL1577 | |
| Larghezza | 4mm | |
| Serie | NCP51752 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 9A | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 8.3ns | ||
Tipo di package SOIC-8 NB | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Numero di uscite 1 | ||
Tempo di salita 22ns | ||
Tensione minima di alimentazione 3V | ||
Tensione massima di alimentazione 20V | ||
Numero driver 1 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Altezza 1.75mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q100-011, GB4943.1-2011, IEC 62386-1, UL1577 | ||
Larghezza 4mm | ||
Serie NCP51752 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
Il driver per gate a canale singolo isolato di ON Semiconductor con corrente di picco source e sink rispettivamente di 4,5 A/9 A. Sono progettati per la commutazione rapida per pilotare MOSFET di potenza e interruttori di potenza MOSFET SiC.
CMTI minimo di 200 V/ns dV/dt
Capacità di gestione negativa a 5 V sui pin di ingresso