onsemi AEC-Q100 MOSFET NCV51752CDDR2G MOSFET, 9 A 1, SOIC-8 NB, 8 Pin 20V
- Codice RS:
- 220-559P
- Codice costruttore:
- NCV51752CDDR2G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 20 - 198 | 3,37 € |
| 200 - 998 | 3,11 € |
| 1000 - 1998 | 2,88 € |
| 2000 + | 2,58 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-559P
- Codice costruttore:
- NCV51752CDDR2G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 9A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 8.3ns | |
| Tipo di package | SOIC-8 NB | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Numero di uscite | 1 | |
| Tempo di salita | 22ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 3V | |
| Tensione massima di alimentazione | 20V | |
| Numero driver | 1 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | NCV51752 | |
| Larghezza | 6.2mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q100, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned), UL1577 (Planned), CQC GB4943.1-2011 (Planned) | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 9A | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 8.3ns | ||
Tipo di package SOIC-8 NB | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Numero di uscite 1 | ||
Tempo di salita 22ns | ||
Tensione minima di alimentazione 3V | ||
Tensione massima di alimentazione 20V | ||
Numero driver 1 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie NCV51752 | ||
Larghezza 6.2mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q100, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned), UL1577 (Planned), CQC GB4943.1-2011 (Planned) | ||
Altezza 1.75mm | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
- Paese di origine:
- PH
Il driver per gate a canale singolo isolato di ON Semiconductor con corrente di picco source e sink rispettivamente di 4,5 A/9 A. Sono progettati per la commutazione rapida per pilotare MOSFET di potenza e interruttori di potenza MOSFET SiC.
CMTI minimo di 200 V/ns dV/dt
Capacità di gestione negativa a 5 V sui pin di ingresso