Modulo Driver gate BM3G007MUV-LBE2, 650V, VQFN046V8080, 46-Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-650
Codice costruttore:
BM3G007MUV-LBE2
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tensione di alimentazione

650V

Numero pin

46

Tipo di package

VQFN046V8080

Tempo di discesa

3ns

Il circuito integrato dello stadio di potenza ROHM Nano Cap EcoGaN 70mΩ 2MHz GaN HEMT è progettato per il supporto a lungo termine in applicazioni industriali e offre un'elevata densità di potenza ed efficienza. Integrando un HEMT GaN potenziato a 650 V e un driver in silicio nel contenitore originale di ROHM, si riduce significativamente l'induttanza parassita rispetto alle soluzioni discrete tradizionali. Ciò consente di ottenere un elevato slew rate di commutazione, fino a 150V/ns, mantenendo la forza di pilotaggio del gate regolabile per ridurre le EMI. Il circuito integrato include varie caratteristiche di protezione e funzioni aggiuntive per ottimizzare i costi e le dimensioni del circuito stampato. Progettato per la compatibilità con i principali controllori esistenti, è il sostituto ideale dei tradizionali interruttori di potenza discreti, come i MOSFET a supergiunzione.

Prodotto di lunga durata per applicazioni industriali
Ampio intervallo operativo per la tensione del pin VDD
Ampio intervallo operativo per la tensione del pin IN
Bassa corrente di riposo e di funzionamento VDD
Basso ritardo di propagazione
Uscita segnale power good
Forza di azionamento del cancello regolabile

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