onsemi AEC-Q100 Modulo Driver gate Driver gate isolato, 9 A 1, SOIC-8, 8 Pin 20V
- Codice RS:
- 277-028P
- Codice costruttore:
- NCV51152CADR2G
- Costruttore:
- onsemi
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 277-028P
- Codice costruttore:
- NCV51152CADR2G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Modulo Driver gate | |
| Corrente di uscita | 9A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SOIC-8 | |
| Tempo di discesa | 8.3ns | |
| Numero di uscite | 2 | |
| Tipo di driver | Driver gate isolato | |
| Tempo di salita | 22ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 3V | |
| Tensione massima di alimentazione | 20V | |
| Numero driver | 1 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | NCV51152 | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Larghezza | 4mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | CQC per GB4943.1-2011 (Planned), UL1577 (Planned), SGS FIMO per IEC 62386-1 (Planned), AEC-Q100-011 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Modulo Driver gate | ||
Corrente di uscita 9A | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SOIC-8 | ||
Tempo di discesa 8.3ns | ||
Numero di uscite 2 | ||
Tipo di driver Driver gate isolato | ||
Tempo di salita 22ns | ||
Tensione minima di alimentazione 3V | ||
Tensione massima di alimentazione 20V | ||
Numero driver 1 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie NCV51152 | ||
Altezza 1.75mm | ||
Larghezza 4mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni CQC per GB4943.1-2011 (Planned), UL1577 (Planned), SGS FIMO per IEC 62386-1 (Planned), AEC-Q100-011 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
- Paese di origine:
- PH
Il gate driver a canale singolo isolato di ON Semiconductor è progettato per la commutazione rapida di MOSFET di potenza e interruttori di potenza MOSFET SiC. È dotato di ritardi di propagazione brevi e abbinati, è disponibile in un package SOIC-8 compatto da 4 mm e supporta una tensione di isolamento fino a 3,75 kVRMS. Inoltre, include funzioni di protezione essenziali come il blocco indipendente della sottotensione per entrambi i lati del driver.
Ritardo di propagazione tipico 36 ns con corrispondenza di ritardo massima di 5 ns
Qualificato AEC Q100 per i requisiti delle applicazioni automobilistiche
Capacità di gestione di 5 V negativi sui pin di ingresso