onsemi AEC-Q100 Modulo Driver gate NCP51152BADR2G Driver gate isolato, 9 A 1, SOIC-8, 8 Pin 20V
- Codice RS:
- 277-081P
- Codice costruttore:
- NCP51152BADR2G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Risparmio |
|---|---|---|
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| 100 - 495 | 1,732 € | 13,60 € |
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| 1000 + | 1,534 € | 334,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 277-081P
- Codice costruttore:
- NCP51152BADR2G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Modulo Driver gate | |
| Corrente di uscita | 9A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SOIC-8 | |
| Tempo di discesa | 8.3ns | |
| Tipo di driver | Driver gate isolato | |
| Tempo di salita | 12ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 3V | |
| Tensione massima di alimentazione | 20V | |
| Numero driver | 1 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | NCP51152 | |
| Larghezza | 4mm | |
| Standard/Approvazioni | CQC GB4943.1-2011 (Planned), UL1577 (Planned), AEC-Q100-002, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned) | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Modulo Driver gate | ||
Corrente di uscita 9A | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SOIC-8 | ||
Tempo di discesa 8.3ns | ||
Tipo di driver Driver gate isolato | ||
Tempo di salita 12ns | ||
Tensione minima di alimentazione 3V | ||
Tensione massima di alimentazione 20V | ||
Numero driver 1 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie NCP51152 | ||
Larghezza 4mm | ||
Standard/Approvazioni CQC GB4943.1-2011 (Planned), UL1577 (Planned), AEC-Q100-002, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned) | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
- Paese di origine:
- PH
Il gate driver a canale singolo isolato di ON Semiconductor è caratterizzato da correnti di picco di source e sink di 4,5A/9A, progettato per una commutazione rapida per pilotare MOSFET di potenza e interruttori di potenza MOSFET SiC. È disponibile in un pacchetto compatto SOIC-8 da 4 mm e supporta tensioni di isolamento fino a 3,75 kVRMS. Inoltre, include funzioni di protezione essenziali, come il blocco indipendente della sottotensione per entrambi i driver laterali, garantendo un funzionamento affidabile e sicuro nelle applicazioni di potenza ad alte prestazioni.
Bloccaggio del gate durante il cortocircuito
200 V/ns immunità dV/dt
Capacità di gestione di 5 V negativi sui pin di ingresso
Certificazione SGS FIMO secondo IEC 62386-1