Driver gate MOSFET MPQ1918GQE-AEC1-P, TTL, 5 A, 5.5V, FCQFN-14, 14-Pin

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Codice RS:
337-870
Codice costruttore:
MPQ1918GQE-AEC1-P
Costruttore:
MPS
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Marchio

MPS

Logic Type

TTL

Corrente di uscita

5 A

Tensione di alimentazione

5.5V

Numero pin

14

Tipo di package

FCQFN-14

Tempo di discesa

3ns

Tipo di driver

High and Low Side

Numero di driver

1

Paese di origine:
CN
Il driver GaN/MOSFET a mezzo ponte ad alta frequenza da 100 V MPS International Ltd è progettato per azionare FET al nitruro di gallio o MOSFET a canale N in modalità di potenziamento con una bassa tensione di soglia di gate in un'applicazione a mezzo ponte o sincrona. Fornisce anche una tecnica di bootstrap per la tensione del driver HS e può funzionare fino a 100 V. La nuova tecnologia di carica evita che la tensione del driver HS superi la tensione VCC, il che evita che la tensione del gate superi la tensione nominale massima del gate-source del GaN FET.

Morsetto di tensione di alimentazione con interruttore bootstrap interno

Gamma di tensione VCC da 3,7 V a 5,5 V

Tempi di propagazione rapidi

Eccellente corrispondenza con il ritardo di propagazione

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