Microchip AEC-Q100 Gate driver MOSFET, 9 A 2, TDFN, 8 Pin 18 V
- Codice RS:
- 644-282P
- Codice costruttore:
- MCP14A0901T-E/MNYVAO
- Costruttore:
- Microchip
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 20 - 98 | 1,985 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 644-282P
- Codice costruttore:
- MCP14A0901T-E/MNYVAO
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | Gate driver | |
| Corrente di uscita | 9A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 22ns | |
| Tipo di package | TDFN | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Tempo di salita | 32ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 18V | |
| Numero driver | 2 | |
| Tensione massima di alimentazione | 18V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Serie | MCP14A0901/2 | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Altezza | 0.85mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q100 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto Gate driver | ||
Corrente di uscita 9A | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 22ns | ||
Tipo di package TDFN | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Tempo di salita 32ns | ||
Tensione minima di alimentazione 18V | ||
Numero driver 2 | ||
Tensione massima di alimentazione 18V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Serie MCP14A0901/2 | ||
Lunghezza 3mm | ||
Altezza 0.85mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q100 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
- Paese di origine:
- TH
I gate driver MOSFET ad alta velocità a doppia uscita di Microchip sono in grado di fornire fino a 9 A di corrente di picco, pur funzionando con una singola alimentazione da 4,5 V a 18 V. Questi driver per gate MOSFET sono caratterizzati da bassa corrente di attraversamento, tempi di salita e discesa rapidi e brevi ritardi di propagazione che li rendono ideali per applicazioni ad alta frequenza di commutazione.
Bassa corrente di attraversamento/conduzione incrociata nello stadio di uscita
Bassa corrente di alimentazione di 360 μA
Ingresso di soglia a bassa tensione e abilitazione con isteresi
Protezione dal latch-up e resistenza a una corrente inversa di 0,5 A