Microchip AEC-Q100 Gate driver MOSFET, 9 A 2, TDFN, 8 Pin 18 V
- Codice RS:
- 644-283P
- Codice costruttore:
- MCP14A0902T-E/MNYVAO
- Costruttore:
- Microchip
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 20 - 98 | 1,94 € |
| 100 - 198 | 1,735 € |
| 200 + | 1,535 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 644-283P
- Codice costruttore:
- MCP14A0902T-E/MNYVAO
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | Gate driver | |
| Corrente di uscita | 9A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 22ns | |
| Tipo di package | TDFN | |
| Numero di uscite | 2 | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Tempo di salita | 27ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 18V | |
| Tensione massima di alimentazione | 18V | |
| Numero driver | 2 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q100 | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Altezza | 0.85mm | |
| Serie | MCP14A0901/2 | |
| Larghezza | 3 mm | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto Gate driver | ||
Corrente di uscita 9A | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 22ns | ||
Tipo di package TDFN | ||
Numero di uscite 2 | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Tempo di salita 27ns | ||
Tensione minima di alimentazione 18V | ||
Tensione massima di alimentazione 18V | ||
Numero driver 2 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q100 | ||
Lunghezza 3mm | ||
Altezza 0.85mm | ||
Serie MCP14A0901/2 | ||
Larghezza 3 mm | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
- Paese di origine:
- TH
I gate driver MOSFET ad alta velocità a doppia uscita di Microchip sono in grado di fornire fino a 9 A di corrente di picco, pur funzionando con una singola alimentazione da 4,5 V a 18 V. Questi driver per gate MOSFET sono caratterizzati da bassa corrente di attraversamento, tempi di salita e discesa rapidi e brevi ritardi di propagazione che li rendono ideali per applicazioni ad alta frequenza di commutazione. Questi gate driver MOSFET offrono un controllo avanzato con funzionalità di abilitazione.
Bassa corrente di attraversamento/conduzione incrociata nello stadio di uscita
Bassa corrente di alimentazione di 360 μA
Ingresso di soglia a bassa tensione e abilitazione con isteresi
Protezione dal latch-up e resistenza a una corrente inversa di 0,5 A