ROHM No Gate driver, 27 A, TOLL-8N, 8 Pin 650 V
- Codice RS:
- 646-597P
- Codice costruttore:
- GNP2070TD-ZTR
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 646-597P
- Codice costruttore:
- GNP2070TD-ZTR
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | Gate driver | |
| Corrente di uscita | 27A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | TOLL-8N | |
| Tempo di discesa | 8.7ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 650V | |
| Tensione massima di alimentazione | 650V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 11.68mm | |
| Serie | GNP2070TD-Z | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC | |
| Altezza | 2.4mm | |
| Larghezza | 9.9 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto Gate driver | ||
Corrente di uscita 27A | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package TOLL-8N | ||
Tempo di discesa 8.7ns | ||
Tensione minima di alimentazione 650V | ||
Tensione massima di alimentazione 650V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 11.68mm | ||
Serie GNP2070TD-Z | ||
Standard/Approvazioni JEDEC | ||
Altezza 2.4mm | ||
Larghezza 9.9 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il GaN HEMT di ROHM fa parte della serie EcoGaNTM, che offre la più alta classe di figure di merito (FOM) del settore per RonxCiss e RonxCoss. Questo dispositivo avanzato migliora l'efficienza della conversione di potenza e consente la riduzione delle dimensioni sfruttando la sua bassa resistenza ON e le sue capacità di commutazione ad alta velocità. La protezione ESD incorporata garantisce un'elevata affidabilità, il che lo rende adatto per le applicazioni più impegnative. Inoltre, i suoi contenitori estremamente versatili forniscono un'eccellente dissipazione del calore e una facilità di montaggio, garantendo prestazioni e praticità nell'integrazione del sistema.
GaN HEMT E-mode 650V
70mΩ Resistenza
5,2nC Carica di gate
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