Microchip Gate driver Tipo doppio, 6 A 2, SOIC, 8 Pin 18V
- Codice RS:
- 649-450P
- Codice costruttore:
- MCP1407T-E/SN
- Costruttore:
- Microchip
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 649-450P
- Codice costruttore:
- MCP1407T-E/SN
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | Gate driver | |
| Corrente di uscita | 6A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tempo di discesa | 20ns | |
| Tipo di driver | Tipo doppio | |
| Tempo di salita | 40ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 18V | |
| Tensione massima di alimentazione | 18V | |
| Numero driver | 2 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Standard/Approvazioni | ESD 2 kV (HBM), 400V (MM) | |
| Serie | MCP1406/07 | |
| Tipo montaggio | Superficie, Foro passante | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto Gate driver | ||
Corrente di uscita 6A | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tempo di discesa 20ns | ||
Tipo di driver Tipo doppio | ||
Tempo di salita 40ns | ||
Tensione minima di alimentazione 18V | ||
Tensione massima di alimentazione 18V | ||
Numero driver 2 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Standard/Approvazioni ESD 2 kV (HBM), 400V (MM) | ||
Serie MCP1406/07 | ||
Tipo montaggio Superficie, Foro passante | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TH
I buffer e i gate driver MOSFET di Microchip sono caratterizzati da un'uscita singola con capacità di pilotaggio di 6 A di corrente di picco, bassa corrente di attraversamento, tempi di salita/discesa abbinati e tempi di ritardo di propagazione. Questi dispositivi sono compatibili con i pin e sono driver MOSFET migliorati. I driver di gate possono caricare e scaricare facilmente capacità di gate di 2500 pF in meno di 20 ns, e forniscono impedenze sufficientemente basse (sia nello stato ON sia nello stato OFF) per garantire che lo stato previsto dei MOSFET non sia influenzato anche da grandi transitori.
Bassa corrente di attraversamento e di conduzione incrociata nella fase di uscita
Da 4,5 V a 18 V
Tempi di salita e discesa abbinati