Renesas Electronics No MOSFET MOSFET, 3.5 A 2, QFN, 16 Pin 5.5 V
- Codice RS:
- 170-8101
- Codice costruttore:
- ISL55110IRZ-T7A
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Prezzo per 1 bobina da 250 unità*
624,50 €
(IVA esclusa)
762,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 250 + | 2,498 € | 624,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 170-8101
- Codice costruttore:
- ISL55110IRZ-T7A
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 3.5A | |
| Numero pin | 16 | |
| Tipo di package | QFN | |
| Tempo di discesa | 6.9ns | |
| Numero di uscite | 2 | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Tempo di salita | 6.2ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 5.5V | |
| Tensione massima di alimentazione | 5.5V | |
| Numero driver | 2 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Serie | ISL55110 | |
| Lunghezza | 4mm | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 3.5A | ||
Numero pin 16 | ||
Tipo di package QFN | ||
Tempo di discesa 6.9ns | ||
Numero di uscite 2 | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Tempo di salita 6.2ns | ||
Tensione minima di alimentazione 5.5V | ||
Tensione massima di alimentazione 5.5V | ||
Numero driver 2 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Serie ISL55110 | ||
Lunghezza 4mm | ||
Altezza 0.95mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4 mm | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Driver MOSFET doppio ad alta velocità ISL55110
ISL55110 è un driver MOSFET doppio ad alta velocità progettato per la generazione e la bufferizzazione degli impulsi.
Ampiezza d'impulso da 5 a 12 V
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Larghezza dimpulso minima 6 ns
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Moduli di potenza IGBT e MOSFET, Intersil
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