Driver gate MOSFET MIC4604YMT-TR, TTL, 16V, TDFN, 10-Pin
- Codice RS:
- 177-2900
- Codice costruttore:
- MIC4604YMT-TR
- Costruttore:
- Microchip
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 177-2900
- Codice costruttore:
- MIC4604YMT-TR
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Logic Type | TTL | |
| Tensione di alimentazione | 16V | |
| Numero pin | 10 | |
| Tipo di package | TDFN | |
| Tempo di discesa | 20ns | |
| Numero di uscite | 1 | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Tempo di salita | 20ns | |
| Topologia | Half Bridge | |
| Dipendenza alta e bassa | Indipendente | |
| Numero di driver | 1 | |
| Ritardo | 75ns | |
| Ponte | Half Bridge | |
| Polarità | Non-invertente | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Logic Type TTL | ||
Tensione di alimentazione 16V | ||
Numero pin 10 | ||
Tipo di package TDFN | ||
Tempo di discesa 20ns | ||
Numero di uscite 1 | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Tempo di salita 20ns | ||
Topologia Half Bridge | ||
Dipendenza alta e bassa Indipendente | ||
Numero di driver 1 | ||
Ritardo 75ns | ||
Ponte Half Bridge | ||
Polarità Non-invertente | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
MIC4604 è un driver MOSFET half-bridge da 85 V. MIC4604 è presenta tempi rapidi di ritardo della propagazione (39 ns) e tempi di salita/discesa driver pari a 20 ns per un carico capacitivo da 1 nF. I driver gate lato alto e lato basso sono controllati in modo indipendente. MIC4604 è dotato di soglie di ingresso TTL. Include un diodo interno ad alta tensione che ricarica il condensatore bootstrap dello stadio pilota high-side.
Gamma di tensione di alimentazione dello stadio pilota da 5,5 V a 16 V
MOSFET a canale N con drive high-side e low-side, con ingressi indipendenti
Soglie di ingresso TTL
Diodo di bootstrap on-chip
Tempi di propagazione rapida di 39 ns
Attiva un carico di 1000 pF con tempi di discesa e salita di 20 ns
Basso consumo energetico
Con protezione da sottotensione
Gamma di temperatura di giunzione da -40 °C a +125 °C
MOSFET a canale N con drive high-side e low-side, con ingressi indipendenti
Soglie di ingresso TTL
Diodo di bootstrap on-chip
Tempi di propagazione rapida di 39 ns
Attiva un carico di 1000 pF con tempi di discesa e salita di 20 ns
Basso consumo energetico
Con protezione da sottotensione
Gamma di temperatura di giunzione da -40 °C a +125 °C
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