Driver gate MOSFET L6491D, 4 A, 20V, SO, 14-Pin

L6491 è un dispositivo ad alta tensione realizzato con la tecnologia "OFF-LINE" BCD6. E' un driver di gate a semiponte a chip singolo per MOSFET di potenza a canale N o IGBT. La sezione high-side (flottante) è progettata per una guida di tensione fino a 600 V. Gli ingressi logici sono compatibili CMOS/TTL fino a 3,3 V per un facile interfacciamento microcontrollore/DSP. Un comparatore integrato è disponibile per una rapida protezione contro sovracorrente, sovratemperatura, ecc

Guida alta tensione fino a 600 V
Immunità DV/dt ± 50 V/ns in gamma di temperatura completa
Capacità di corrente del driver: Sorgente/sink da 4 A.
Tempi di commutazione 15 ns salita/discesa con carico 1 nF
Ingressi TTL/CMOS a 3,3 V o 5 V con isteresi
Diodo bootstrap integrato
Comparatore per protezioni di guasto
Funzione di spegnimento intelligente
Tempo morto regolabile
Funzione di blocco interno
Layout compatto e semplificato
Riduzione del numero di componenti
Protezione efficace contro i guasti
Progettazione flessibile, semplice e rapida
Applications
Driver per elettrodomestici, automazione industriale, azionamenti industriali e ventilatori
Reattori HID
Unità di alimentazione
Riscaldamento ad induzione
Caricabatterie wireless
Inverter industriali
UPS