AEC-Q100 Driver gate MOSFET NCV57000DWR2G, 6 A, 5V, SOIC, 16-Pin

Uscita ad alta corrente (+4/-6 A) a tensioni di Plateau IGBT Miller
Brevi ritardi di propagazione con una corrispondenza accurata
Desat con Soft Turn Off
Morsetto Miller attivo e tensione negativa del gate
Elevata immunità ai transitori e agli elettromagneti
Isolamento galvanico da 5 kV
Migliora l'integrità del segnale PWM
Protezione contro sovraccarichi e cortocircuiti
Impedisce l'accensione spuria del cancello
Robustezza nelle applicazioni di commutazione ad alta tensione e corrente ad alta velocità di variazione
Isolamento galvanico per separare i lati ad alta tensione e a bassa tensione per garantire sicurezza e protezione
Applications
Alimentatori automobilistici
Inverter di trazione HEV/EV
OBC
Inverter bsg
Riscaldatori PTC
Caricatori EV