STMicroelectronics Driver per impieghi generici MOSFET, 20 A 1, TO-263, 2 Pin 40 V
- Codice RS:
- 190-4940
- Codice costruttore:
- VNB14NV04TR-E
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
1325,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,325 € | 1.325,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 190-4940
- Codice costruttore:
- VNB14NV04TR-E
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Driver per impieghi generici | |
| Corrente di uscita | 20A | |
| Numero pin | 2 | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tempo di discesa | 30μs | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Tempo di salita | 30μs | |
| Tensione minima di alimentazione | 40V | |
| Numero driver | 1 | |
| Tensione massima di alimentazione | 40V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Driver per impieghi generici | ||
Corrente di uscita 20A | ||
Numero pin 2 | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tempo di discesa 30μs | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Tempo di salita 30μs | ||
Tensione minima di alimentazione 40V | ||
Numero driver 1 | ||
Tensione massima di alimentazione 40V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.6mm | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico No | ||
Il dispositivo STMicroelectronics VNB10N07 è monolitico realizzato utilizzando la tecnologia VI Power M0, progettato per la sostituzione DI MOSFET di potenza standard in applicazioni da c.c. a 50 KHz. Lo spegnimento termico incorporato, la limitazione di corrente lineare e il morsetto di sovratensione proteggono il chip in ambienti difficili. Il feedback dei guasti può essere rilevato monitorando la tensione sul pin di ingresso.
Protezione ESD
Accesso diretto al gate del MOSFET di potenza
Limitazione di corrente lineare
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