AEC-Q100 Driver gate MOSFET Si8275DB-IM1, TTL, 1,8 A, 4 A., 5.5V, QFN, 14-Pin

I dispositivi Si8275DB-IM1 offrono opzioni PER ingressi A VIA, VIB e driver doppio. Il modello Si8275DB-IM1, con le sue elevate prestazioni di immunità ai disturbi, elimina il rischio rappresentato da velocità di commutazione più faster. I transienti ad alto rumore generati dalla commutazione più faster non influenzano l'integrità del segnale attraverso il driver, eliminando così il rischio di perdita di modulazione. La specifica di latch-up molto elevata di 400 kV/μs rende i dispositivi Si8275DB-IM1 estremamente robusti, evitando danni permanenti di latch-up, e dispone di protezione contro i guasti UVLO, un circuito di de-glitch per filtrare gli ingressi rumorosi e programmabilità estremamente precisa del tempo morto (pin DT). Con questa funzione, gli utenti possono controllare con precisione il "tempo morto" tra i due conducenti che passano per ottimizzare l'efficienza e la sicurezza del sistema. I driver funzionano con un'ampia gamma di VDD di ingresso da 2,5 V - 5,5 V e una tensione di alimentazione di pilotaggio massima di 30 V.